为了研究FLASH芯片的坏区增长与擦写次数为怎样的关系，目前尚未有实际实物参照数据。下面使用Flash器件高低温擦写性能试验箱，通过FLASH芯片寿命试验，在地面模拟FLASH芯片在空间连续加电并多次擦除、写和读操作，设计了以下试验方法。
Flash芯片高低温寿命试验设计：
试验设备：环仪仪器 Flash器件高低温擦写性能试验箱
配套工具：试验板1套，可承受工作环境温度为-10℃～+70℃、稳压电源1套、测试计算机1台、测试电缆一套
试验过程：
串口1实时显示操作次数，每次操作时的坏区总数，串口2实时显示擦除和编程超时或反馈出错的区块号，串口3用于下传所有的坏区表、接收指令恢复某一坏区等需要交互的操作。寿命试验过程中每隔一定的动作次数后，需进行手动测试，通过串口遥测记录芯片在不同操作模式下的工作电流、坏区表、擦除反馈错误、擦除超时坏区、编程反馈错误、编程超时坏区以及误码率，并进行统计，最后绘成曲线。测试台需断电保持芯片擦写的次数，并在串口遥测中显示。
试验过程必须包含FLASH芯片的擦除和写操作，考核芯片长时间的加电工作后性能是否下降（监视不同模式下的电流是否增加、擦除时间是否会超时和编程时间是否延长），坏区是否增加。
试验结果：
FLASH芯片寿命试验总擦除次数为100000次，试验开展共409天，试验结束后总坏块数为36个，并未增加。根据资料，10万次擦除寿命末期单片的某一层坏区累计不到容量的2%，试验采用的芯片总共4096块，36個坏块的比率为0.88%，不超过厂家指标值。
以上就是Flash器件高低温擦写性能试验箱相关测试过程，如有试验疑问，可以咨询环仪仪器相关技术人员。
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