在存储芯片的生产制造过程中，需要进行各种可靠性试验，其中高低温冲击试验就是一项重要的测试项目，下面，我们结合实际测试要求，来看看存储芯片的高低温热冲击试验是怎么做的。
存储芯片高低温热冲击试验流程：
试验设备：环仪仪器 存储芯片高低温热冲击试验箱
试验条件：
高温80℃：30min
低温-40℃：30min
转换时间：高温和低温变化在5min内完成
试验评价方法：
1.在(新 MODEL)新产品开发阶段(DVT)，实施 100CYCLE 试验之后，决定下期阶段进行可能与否。
2.(量产 MODEL)市场及工程发生品质问题时，生产技术科内部选定另外 MODEL实施，试验 CYCLE 基准在1次100CYCLE 试验实施之后，确认无异常时，进行2 次 100 CYCLE 延长试验
3.在试验之前，检查样品的表面状态。
设备参数：
以上就是存储芯片的高低温热冲击试验要求，如有试验疑问，可以咨询环仪仪器相关技术人员。
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