高速电芯片盐雾试验箱的试验依据《GB/T 4937.13 半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分：盐雾》的要求进行，通过盐雾试验确定半导体的耐腐蚀能力。
满足标准：
GB/T 4937.13 半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分：盐雾
GB/T 10125 人造气氛腐蚀试验盐雾试验
GB/T4589.1 半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范
IEC60747-10：1991 半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范
技术参数：
测试条件：
试验箱工作原理：
采用塔式气流喷雾的方式，利用压缩空气从喷嘴处高速喷射所产生的高速气流，在吸水管上方形成负压，盐溶液在负压作用下沿着吸水管迅速上升到喷嘴处，被高速气流雾化并喷向喷雾管顶端的锥形分雾器后由喷雾口飘出，扩散到试验箱的腔体中。在实际试验操作中，一般通过调节气流大小来调节盐雾沉降速率，而1mL/（80cm2·h）以下的沉降速率。
同时考虑盐雾试验操作的便利性和精确度，可得出盐雾浓度取1%，控制盐雾沉降量在（1~1.6)mL/（80cm2·h）。
试验失效判断：
a）在室内正常照明下，放大1倍~3倍检查，标识模糊。
b)腐蚀缺陷面积超过任何封装零件（例如盖板、引线或外壳)镀涂或底金属面积的5%；引线缺损、断裂；放大10倍~20倍检查，完全贯穿零件的腐蚀。在此试验方法中，腐蚀定义为对材料或涂层结构的实际损坏。褪色或变色，包括与点腐蚀有关的褪色或变色，不应认为是受损区域的一部分。引线末端的腐蚀（和由此产生的腐蚀生成物)应忽略。
注：涂层需覆盖封装和从引线根部到尖端的整个暴露的引线区域(不包括特定的弯折区域)和所有其他暴露的金属表面。
如有高速电芯片盐雾试验箱的选型疑问，可以咨环仪仪器询相关技术人员。
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